BCX54-10.115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 руб.
Мин. кол-во для заказа 295 шт.
от 680 шт. —
11 руб.
от 3000 шт. —
8.93 руб.
Добавить в корзину 295 шт.
на сумму 3 835 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор маломощный
Технические параметры
| Корпус | to243 | |
| кол-во в упаковке | 1000 | |
| Pd - рассеивание мощности | 1250 mW | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1.6 mm | |
| Длина | 4.6 mm | |
| Другие названия товара № | BCX54-10 T/R | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Конфигурация | Single | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 150 mA at 2 V | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | NPN | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 | |
| Ширина | 2.6 mm | |
| Base Product Number | BCX54 -> | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A | |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V | |
| ECCN | EAR99 | |
| Frequency - Transition | 180MHz | |
| HTSUS | 8541.29.0075 | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
| Package / Case | TO-243AA | |
| Power - Max | 1.25W | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | SOT-89 | |
| Transistor Type | NPN | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V | |
| Maximum Collector Base Voltage | 45 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V | |
| Maximum DC Collector Current | 1 A | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 1.35 W | |
| Minimum DC Current Gain | 63 | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-89 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Вес, г | 0.195 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
