BCV49.115

Ном. номер: 8001777505
PartNumber: BCV49.115
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/5 BCV49.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 BCV49.115Фото 3/5 BCV49.115Фото 4/5 BCV49.115Фото 5/5 BCV49.115
13 руб.
8926 шт. со склада г.Москва
от 629 шт. — 11.70 руб.
от 1321 шт. — 11 руб.
Мин. кол-во для заказа 355 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
52 руб. 8 дней, 12170 шт. 10 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 25 руб.
64 руб. 3-4 недели, 1396 шт. 2 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 47 руб.
60 руб. 3-4 недели, 960 шт. 3 шт. 3 шт.
от 21 шт. — 32 руб.
27 руб. 4 дня, 625 шт. 1 шт. 22 шт.
от 82 шт. — 17 руб.
от 164 шт. — 14 руб.
от 328 шт. — 13 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзистор биполярный стандартный

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO243

Корпус TO243, Тип проводимости и конфигурация NPN Darl., Рассеиваемая мощность 1.3 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 10000, Коэффициент усиления по току, max 10000

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Длина
4.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Максимальный запирающий ток коллектора
0.0001mA
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Тип корпуса
UPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.6мм
Тип транзистора
NPN
Высота
1.6мм
Число контактов
4
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
2000
Вес, г
0.195

Дополнительная информация

Datasheet BCV49.115

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.