IRLML2803TRPBF

Ном. номер: 8001777510
PartNumber: IRLML2803TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/7 IRLML2803TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/7 IRLML2803TRPBFФото 3/7 IRLML2803TRPBFФото 4/7 IRLML2803TRPBFФото 5/7 IRLML2803TRPBFФото 6/7 IRLML2803TRPBFФото 7/7 IRLML2803TRPBF
8 руб.
7 руб.
139276 шт. со склада г.Москва
от 1240 шт. — 5.90 руб.
от 3000 шт. — 5.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 697 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
10 руб. 12678 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 8 руб.
от 1000 шт. — 7.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23

Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 250 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
1.2 A
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
540 мВт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
1.4мм
Высота
1.02мм
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.02мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
3,9 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
9 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
250 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
3,3 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
85 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.04

Техническая документация

IRLML2803 datasheet
pdf, 100 КБ
IRLML2803PBF
pdf, 235 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLML2803TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.