SKM400GB125D

Ном. номер: 8001777555
Производитель: Semikron Elektronik
Фото 1/3 SKM400GB125D
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 SKM400GB125DФото 3/3 SKM400GB125D
12 600 руб.
31 шт. со склада г.Москва
от 2 шт. — 12 000 руб.
от 4 шт. — 11 635 руб.
от 8 шт. — 11 155 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 600 руб.
Купить в 1 клик
Модули IGBT

кол-во в упаковке: 12

IGBT силовой модуль

Характеристики:

Топология силовой части: полумост;

Напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В;

Рабочий ток при 25°C: 300 А;

Технология: NPT IGBT (Ultrafast);

Корпус: SEMITRANS3;

Размеры: 106x62x31 мм

Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 300 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
106.4мм
Transistor Configuration
Полумост
Производитель
Semikron
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
400 А
Тип корпуса
SEMITRANS3
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
61.4мм
Number of Transistors
2
Высота
30.5мм
Число контактов
7
Размеры
106.4 x 61.4 x 30.5мм
Скорость переключения
12кГц
Конфигурация
Два
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Тип канала
N
Вес, г
323.3

Дополнительная информация

Datasheet SKM400GB125D

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.