IRF8010PBF

Ном. номер: 8001777635
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRF8010PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRF8010PBFФото 3/5 IRF8010PBFФото 4/5 IRF8010PBFФото 5/5 IRF8010PBF
47 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 97 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
140 руб. 172 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 135 руб.
от 150 шт. — 133 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 80A Resistance, Rds On 0.015ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 320A Power Dissipation 260W Power, Pd 260W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 15ohm Thermal Resistance, Junction to Case A 0.57°C/W Voltage, Vds Max 100V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 15 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Package Type
TO-220AB
Maximum Power Dissipation
260 W
Mounting Type
Through Hole
Width
4.69mm
Height
15.24mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.54mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
260 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
15.24мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 15.24мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
61 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Максимальное сопротивление сток-исток
15 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
81 нКл
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3830 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
80
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
260
Крутизна характеристики S,А/В
82
Температура, С
-55...+175
Корпус
TO220AB
Вес, г
2.679

Техническая документация

IRF8010PBF Datasheet
pdf, 133 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF8010PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов