IRLML6302TRPBF

Ном. номер: 8001777636
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRLML6302TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRLML6302TRPBFФото 3/5 IRLML6302TRPBFФото 4/5 IRLML6302TRPBFФото 5/5 IRLML6302TRPBF
8 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 690 шт. — 6.50 руб.
от 1430 шт. — 6.20 руб.
от 3000 шт. — 5.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 623 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
11 руб. 4502 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 9 руб.
от 1000 шт. — 8.10 руб.
8.80 руб. 5-10 дней, 3018 шт. 1 шт. 100 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

Корпус TO236, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 780 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 600 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
780 мА
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
540 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.4мм
Высота
1.01mm
Размеры
3.05 x 1.4 x 1.01мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.05мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
22 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
97 pF @ 15 V
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V
Вес, г
0.038

Техническая документация

IRLML6302 datasheet
pdf, 100 КБ
IRLMl6302pbf
pdf, 636 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLML6302TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов