Мой регион: Россия

IRF3415PBF

Ном. номер: 8001777664
PartNumber: IRF3415PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF3415PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRF3415PBFФото 3/3 IRF3415PBF
56 руб.
3105 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 48.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 72 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
79 руб. 222 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 73 руб.
от 150 шт. — 72 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, вес: 2.72

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
43 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
200 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
71 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
42 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
200 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2400 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Техническая документация

IRF3415PBF Datasheet
pdf, 203 КБ

Видео

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.