IRF5210SPBF

Ном. номер: 8001777665
PartNumber: IRF5210SPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRF5210SPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRF5210SPBFФото 3/6 IRF5210SPBFФото 4/6 IRF5210SPBFФото 5/6 IRF5210SPBFФото 6/6 IRF5210SPBF
110 руб.
1283 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 93.80 руб.
от 200 шт. — 88.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 48 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
240 руб. 422 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 180 руб.
от 5 шт. — 134 руб.
от 10 шт. — 117 руб.
108 руб. 4 дня, 49 шт. 1 шт. 27 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET, P D2-PAK TUBE 50 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -100V Current, Id Cont 40A Resistance, Rds On 0.06ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V Voltage, Vgs th Typ -4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 140A Power Dissipation 200W Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.8W Power, Pd 200W SMD Marking IRF5210S Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Voltage, Vds 100V Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs th Max -4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 38 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 50, корпус: D2PAK

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
38 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Высота
4.69мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
72 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
150 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2780 pF@ 25 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.045

Техническая документация

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.