STW15NK90Z

Ном. номер: 8001777793
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/6 STW15NK90Z
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 STW15NK90ZФото 3/6 STW15NK90ZФото 4/6 STW15NK90ZФото 5/6 STW15NK90ZФото 6/6 STW15NK90Z
210 руб.
254 шт. со склада г.Москва
от 24 шт. — 190 руб.
от 48 шт. — 182 руб.
от 90 шт. — 174 руб.
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
240 руб. 261 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 237 руб.
от 150 шт. — 236 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 900 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 15 А, Сопротивление открытого канала (мин) 550 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
15 A
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
350 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.15мм
Высота
20.15мм
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
42 ns
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
135 ns
Серия
MDmesh, SuperMESH
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
900 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
190 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
6100 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Product Category
Power MOSFET
Process Technology
SuperMESH
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
900
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Continuous Drain Current (A)
15
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
550@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
190@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
190
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
6100@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
350000
Typical Fall Time (ns)
35
Typical Rise Time (ns)
27
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
135
Typical Turn-On Delay Time (ns)
42
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
TO-247
Standard Package Name
TO-247
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
20.15(Max)
Package Length
15.75(Max)
Package Width
5.15(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Вес, г
6.495

Техническая документация

Datasheet STW15NK90Z
pdf, 313 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STW15NK90Z
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.