BC857BW.115

Ном. номер: 8001777859
PartNumber: BC857BW.115
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/6 BC857BW.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 BC857BW.115Фото 3/6 BC857BW.115Фото 4/6 BC857BW.115Фото 5/6 BC857BW.115Фото 6/6 BC857BW.115
2 руб.
0.90 руб.
17377 шт. со склада г.Москва
от 9000 шт. — 0.82 руб.
Мин. кол-во для заказа 5051 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
19 руб. 3-4 недели, 73570 шт. 10 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 18 руб.
от 100 шт. — 6.30 руб.
10 руб. 3-4 недели, 2220 шт. 20 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 5 руб.
от 200 шт. — 3.20 руб.
от 1560 шт. — 2.50 руб.
4 руб. 4 дня, 5670 шт. 1 шт. 149 шт.
от 532 шт. — 3 руб.
от 1063 шт. — 1.60 руб.
от 2125 шт. — 1.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзистор биполярный стандартный

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703

Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 220, Коэффициент усиления по току, max 475

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-600 mV
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
850 мВ
Длина
2.2мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
PNP
Высота
1мм
Число контактов
3
Automotive Standard
AEC-Q101
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
125
Вес, г
0.046

Дополнительная информация

Datasheet BC857BW.115

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.