IRLZ24NPBF

Ном. номер: 8001777878
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRLZ24NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRLZ24NPBFФото 3/6 IRLZ24NPBFФото 4/6 IRLZ24NPBFФото 5/6 IRLZ24NPBFФото 6/6 IRLZ24NPBF
27 руб.
694 шт. со склада г.Москва
от 200 шт. — 25 руб.
от 350 шт. — 23.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 163 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
33 руб. 1471 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 26 руб.
от 150 шт. — 24 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7.1 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
20 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
480 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7.1 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
20 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
480 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Вес, г
2.8

Техническая документация

IRLZ24N
pdf, 177 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.