IRFB4710PBF

Ном. номер: 8001778039
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRFB4710PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRFB4710PBFФото 3/6 IRFB4710PBFФото 4/6 IRFB4710PBFФото 5/6 IRFB4710PBFФото 6/6 IRFB4710PBF
100 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 50 шт. — 82.50 руб.
от 250 шт. — 78.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 48 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
140 руб. 818 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 136 руб.
от 150 шт. — 130 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, N, 100V, 75A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 75A Resistance, Rds On 0.014ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 5.5V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 300A No. of Pins 3 Power Dissipation 200W Power, Pd 200W Resistance, Rds on Max 0.014ohm Thermal Resistance, Junction to Case A 0.74°C/W Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs th Max 4.5V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 75 А, Сопротивление открытого канала (мин) 14 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
35 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
41 нс
Максимальный непрерывный ток стока
75 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
3,8 Вт
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Высота
8.77мм
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
6160 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
35 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
41 нс
Максимальный непрерывный ток стока
75 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
3,8 Вт
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Высота
8.77мм
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
6160 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.88

Техническая документация

IRFB4710 Datasheet
pdf, 245 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB4710PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов