IRFI3205PBF

Ном. номер: 8001778049
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/7 IRFI3205PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/7 IRFI3205PBFФото 3/7 IRFI3205PBFФото 4/7 IRFI3205PBFФото 5/7 IRFI3205PBFФото 6/7 IRFI3205PBFФото 7/7 IRFI3205PBF
87 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 100 шт. — 75.70 руб.
от 250 шт. — 72.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 58 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
240 руб. 4 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 180 руб.
от 4 шт. — 143 руб.
210 руб. 6 дней, 210 шт. 1 шт. 2 шт.
от 18 шт. — 100 руб.
от 35 шт. — 89 руб.
от 100 шт. — 80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP, АБ

MOSFET, N, 55V, 56A, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 64A Resistance, Rds On 0.008ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220FP Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 390A No. of Pins 3 Power Dissipation 63W Power, Pd 63W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 2.4°C/W Voltage, Isolation 2kV Voltage, Vds 55V Voltage, Vds Max 55V
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 64 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
64 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
63 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
9.8мм
Размеры
10.75 x 4.83 x 9.8мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.75мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
43 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
8 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
170 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4000 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Тип корпуса
TO-220FP
Максимальное рассеяние мощности
63 Вт
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Width
4.83мм
Высота
9.8mm
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Length
10.75мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Серия
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Maximum Drain Source Resistance
8 мΩ
Maximum Drain Source Voltage
55 В
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
170 нКл при 10 В
Channel Mode
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Вес, г
2.8

Техническая документация

IRFI3205 Datasheet
pdf, 112 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFI3205PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов