Мой регион: Россия

IRF640NPBF

Ном. номер: 8001778232
PartNumber: IRF640NPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRF640NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRF640NPBFФото 3/4 IRF640NPBFФото 4/4 IRF640NPBF
27 руб.
14089 шт. со склада г.Москва
от 250 шт. — 23 руб.
Мин. кол-во для заказа 153 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
33 руб. 5364 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 27 руб.
от 150 шт. — 26 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, вес: 2.69

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
23 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
0,15 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
67 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1160 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Техническая документация

IRF640N Datasheet
pdf, 243 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.