Мой регион: Россия

IRF640NSTRLPBF

Ном. номер: 8001778234
PartNumber: IRF640NSTRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRF640NSTRLPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRF640NSTRLPBFФото 3/4 IRF640NSTRLPBFФото 4/4 IRF640NSTRLPBF
37 руб.
4287 шт. со склада г.Москва
от 186 шт. — 32.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 108 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
46 руб. 299 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 40 руб.
от 150 шт. — 39 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263, вес: 2.06

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
23 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
0,15 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
67 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1160 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Техническая документация

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.