IPB010N06NATMA1

Ном. номер: 8001778462
PartNumber: IPB010N06NATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IPB010N06NATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IPB010N06NATMA1Фото 3/4 IPB010N06NATMA1Фото 4/4 IPB010N06NATMA1
460 руб.
1165 шт. со склада г.Москва
от 18 шт. — 420 руб.
от 37 шт. — 396 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
659 руб. 4-6 недель, 6 шт. 1 шт. 1 шт.
770 руб. 2 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 730 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO2637

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Корпус TO2637, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 180 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4.57мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
310s
Высота
9.45мм
Размеры
10.31 x 4.57 x 9.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
37 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
74 ns
Серия
OptiMOS 5
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
7
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
208 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
15000 пФ при 30 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
4.2V
Вес, г
1.99

Дополнительная информация

Datasheet IPB010N06NATMA1
Datasheet IPB010N06NATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.