IRF7103TRPBF

Ном. номер: 8001778712
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/8 IRF7103TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/8 IRF7103TRPBFФото 3/8 IRF7103TRPBFФото 4/8 IRF7103TRPBFФото 5/8 IRF7103TRPBFФото 6/8 IRF7103TRPBFФото 7/8 IRF7103TRPBFФото 8/8 IRF7103TRPBF
18 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 273 шт. — 17 руб.
от 566 шт. — 15.70 руб.
от 1189 шт. — 14.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 248 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
26 руб. 1663 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 21 руб.
от 100 шт. — 18 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transist
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 50 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 110 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
9 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
50 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
290 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Структура
2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
130
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2
Крутизна характеристики S,А/В
3.8
Температура, С
-55...+150
Корпус
SO8
Вес, г
0.186

Техническая документация

IRF7103
pdf, 171 КБ
irf7103pbf-1
pdf, 275 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7103TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов