BSP149H6327XTSA1

Ном. номер: 8001778841
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 BSP149H6327XTSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BSP149H6327XTSA1Фото 3/4 BSP149H6327XTSA1Фото 4/4 BSP149H6327XTSA1
40 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 134 шт. — 33.10 руб.
от 565 шт. — 31.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 118 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
142 руб. 3-4 недели, 19 шт. 1 шт. 1 шт.
180 руб. 27 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 120 руб.
от 5 шт. — 76 руб.
от 10 шт. — 61 руб.
120 руб. 6 дней, 700 шт. 1 шт. 3 шт.
от 35 шт. — 47 руб.
от 69 шт. — 41 руб.
от 138 шт. — 38 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

N-CH Depletion MOS 200V SOT223
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 660 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 1.8 Ом

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
660 мА
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
3.5мм
Высота
1.6мм
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
5,1 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
SIPMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
1.8 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3+Tab
Категория
Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 5 В
Номер канала
Опускание
Типичная входная емкость при Vds
326 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.194

Дополнительная информация

Datasheet BSP149H6327XTSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов