IRF2807PBF

Ном. номер: 8001779137
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRF2807PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRF2807PBFФото 3/5 IRF2807PBFФото 4/5 IRF2807PBFФото 5/5 IRF2807PBF
61 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 100 шт. — 50.40 руб.
от 400 шт. — 47.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 32 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
65 руб. 1134 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 58 руб.
от 150 шт. — 55 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, N, 75V, 82A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 75V Current, Id Cont 71A Resistance, Rds On 0.013ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 280A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Pin Format 1 g 2 d/tab 3 s Power Dissipation 150W Power, Pd 150W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 0.013ohm Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 0.75°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 75V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 82 А, Сопротивление открытого канала (мин) 13 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
82 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
230 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
49 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
13 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
160 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3820 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.614

Техническая документация

IRF2807 Datasheet
pdf, 211 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF2807PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.