IRF7493PBF

Ном. номер: 8001779173
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF7493PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF7493PBF
53 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 95 шт. — 48 руб.
от 190 шт. — 46 руб.
от 380 шт. — 43.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 84 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
38 руб. 3 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 34 руб.
от 100 шт. — 33 руб.
55 руб. 6 дней, 893 шт. 1 шт. 32 шт.
от 64 шт. — 49 руб.
80 руб. 59 шт. 1 шт. 2 шт.
от 5 шт. — 60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 95, корпус: SOIC8, АБ

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9,3 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8.3 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
30 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
15 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
35 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1510 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.159

Техническая документация

IRF7493PBF Datasheet
pdf, 159 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.