IRLU024NPBF

Ном. номер: 8001779223
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/8 IRLU024NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/8 IRLU024NPBFФото 3/8 IRLU024NPBFФото 4/8 IRLU024NPBFФото 5/8 IRLU024NPBFФото 6/8 IRLU024NPBFФото 7/8 IRLU024NPBFФото 8/8 IRLU024NPBF
27 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 225 шт. — 21.80 руб.
от 825 шт. — 20.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 179 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
31 руб. 1038 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 29 руб.
от 150 шт. — 26 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 75, корпус: IPAK, АБ

Корпус IPAK, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 65 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
17 А
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.39мм
Высота
6.22мм
Размеры
6.73 x 2.39 x 6.22мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7.1 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
20 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
480 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
17 А
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.39мм
Высота
6.22мм
Размеры
6.73 x 2.39 x 6.22мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7.1 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
20 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
480 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Вес, г
0.689

Дополнительная информация

Datasheet IRLU024NPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов