IRFR9120NPBF

Ном. номер: 8001779351
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRFR9120NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRFR9120NPBFФото 3/4 IRFR9120NPBFФото 4/4 IRFR9120NPBF
22 руб.
3867 шт. со склада г.Москва
от 225 шт. — 20 руб.
от 450 шт. — 18.80 руб.
от 975 шт. — 17.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 200 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
70.40 руб. 3-5 недель, 9049 шт. 1 шт. 50 шт.
31 руб. 3 дня, 7 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 26 руб.
от 150 шт. — 25 руб.
72 руб. 6 дней, 755 шт. 1 шт. 5 шт.
от 75 шт. — 26 руб.
от 150 шт. — 22 руб.
от 300 шт. — 20 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 75, корпус: DPAK

MOSFET, P, -100V, -6.5A, D-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: 100V; Current, Id Cont: 6.6A; Resistance, Rds On: 0.48ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -10V; Voltage, Vgs th Typ: -4V; Case Style: DPAK; Termination Type: SMD; Case Style, Alternate: D-PAK; Current, Idm Pulse: 26A; Marking, SMD: IRFR9120N; Power Dissipation: 40W; Power, Pd: 40W; Thermal Resistance, Junction to Case A: 3.2°C/W; Voltage, Vds Max: 100V; Voltage, Vgs th Max: -4V
Корпус TO-252-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 480 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
6,6 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
40 W
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
28 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
480 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
27 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
350 pF @ 25 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.6

Техническая документация

IRFR9120 datasheet
pdf, 173 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.