IRFR3410PBF

Ном. номер: 8001779373
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRFR3410PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRFR3410PBFФото 3/6 IRFR3410PBFФото 4/6 IRFR3410PBFФото 5/6 IRFR3410PBFФото 6/6 IRFR3410PBF
43 руб.
1397 шт. со склада г.Москва
от 113 шт. — 39 руб.
от 225 шт. — 36.80 руб.
от 525 шт. — 35.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 102 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
37 руб. 47 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 32 руб.
от 150 шт. — 31 руб.
75 руб. 84 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 45 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 75, корпус: DPAK

Корпус TO-252-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 39 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
31 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
40 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
39 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
37 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1690 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.617

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.