IRF630

Ном. номер: 8001779447
PartNumber: IRF630
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/7 IRF630
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/7 IRF630Фото 3/7 IRF630Фото 4/7 IRF630Фото 5/7 IRF630Фото 6/7 IRF630Фото 7/7 IRF630
29 руб.
3100 шт. со склада г.Москва
от 300 шт. — 26.70 руб.
от 600 шт. — 25.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 167 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
41 руб. 2008 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 33 руб.
от 150 шт. — 31 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 400 мОм

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
75 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
STMicroelectronics
Серия
STripFET
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
400 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
31 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
540 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.621

Техническая документация

IRF630 datasheet
pdf, 176 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF630

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.