IRG4PH50SPBF

Ном. номер: 8001779503
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRG4PH50SPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRG4PH50SPBFФото 3/6 IRG4PH50SPBFФото 4/6 IRG4PH50SPBFФото 5/6 IRG4PH50SPBFФото 6/6 IRG4PH50SPBF
250 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 19 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
300 руб. 130 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 290 руб.
от 150 шт. — 287 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБ

IGBT, 1200V, 57A, TO-247AC Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 1200V Current Ic Continuous a Max 57A Voltage, Vce Sat Max 1.47V Power Dissipation 200W Case Style TO-247AC Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1200V Current, Icm Pulsed 114A No. of Pins 3 Power, Pd 200W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall Max 638ns Time, Rise 29ns
Корпус TO247AC, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 57 А, Напряжение насыщения К-Э 1.7 В, Максимальная мощность 200 Вт, Заряд затвора 167 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
57 А
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
5.3мм
Высота
20.3мм
Число контактов
3
Размеры
15.9 x 5.3 x 20.3мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Length
15.9мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
57 A
Тип корпуса
TO-247AC
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ширина
5.3мм
Высота
20.3мм
Число контактов
3
Размеры
15.9 x 5.3 x 20.3мм
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Тип канала
N
Вес, г
7.204

Техническая документация

IRG4PH50SPBF Datasheet
pdf, 227 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4PH50SPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов