BCR133E6327HTSA1

Ном. номер: 8001779529
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 BCR133E6327HTSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BCR133E6327HTSA1Фото 3/4 BCR133E6327HTSA1Фото 4/4 BCR133E6327HTSA1
3 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 2500 шт. — 1.80 руб.
от 9000 шт. — 1.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 2146 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 руб. 6432 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 3.50 руб.
от 1000 шт. — 3 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 30

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный коэффициент резистора
1
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.3мм
Тип транзистора
NPN-NO/NC
Высота
0.9мм
Число контактов
3
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 V
Типичный входной резистор
10 кΩ
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Вес, г
0.033

Техническая документация

Infineon-BCR133SERIES
pdf, 867 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов