IPT004N03LATMA1

Ном. номер: 8001779609
PartNumber: IPT004N03LATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPT004N03LATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPT004N03LATMA1
350 руб.
371 шт. со склада г.Москва
от 26 шт. — 314 руб.
от 53 шт. — 296 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
460 руб. 3-4 недели, 2000 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 402 руб.
560 руб. 39 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 480 руб.
от 5 шт. — 436 руб.
от 10 шт. — 417 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET, N-CH, 30V, 300A, PG-HSOF-8
Корпус PGHSOF8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 300 А, Сопротивление открытого канала (мин) 400 мкОм

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 2000, корпус: PGHSOF8

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
300 А
Тип корпуса
HSOF
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
10.58мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
320s
Высота
2.4мм
Размеры
10.1 x 10.58 x 2.4мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.1мм
Типичное время задержки включения
30 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
149 нс
Серия
OptiMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток
500 мкОм
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
252 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
18000 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1V
Вес, г
2.487

Дополнительная информация

Datasheet IPT004N03LATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.