BSP299H6327XUSA1

Ном. номер: 8001779668
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 BSP299H6327XUSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BSP299H6327XUSA1Фото 3/4 BSP299H6327XUSA1Фото 4/4 BSP299H6327XUSA1
23 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 197 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
160 руб. 8 дней, 95 шт. 5 шт. 5 шт.
от 10 шт. — 150 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 400 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 4 Ом

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
400 мА
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.5мм
Высота
1.6мм
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
55 нс
Серия
SIPMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Число контактов
3+Tab
Категория
Малый сигнал
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
300 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
400 мА
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.5мм
Высота
1.6мм
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
55 нс
Серия
SIPMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Число контактов
3+Tab
Категория
Малый сигнал
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
300 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.2

Дополнительная информация

Datasheet BSP299H6327XUSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов