IRF1310NPBF

Ном. номер: 8001779760
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRF1310NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRF1310NPBFФото 3/5 IRF1310NPBFФото 4/5 IRF1310NPBFФото 5/5 IRF1310NPBF
42 руб.
37 руб.
1216 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 118 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
50 руб. 546 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 45 руб.
от 150 шт. — 44 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET, N, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 41A Resistance, Rds On 0.036ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 160A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Pin Configuration a Pin Format 1 g 2 d/tab 3 s Power Dissipation 170W Power, Pd 170W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 100V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 42 А, Сопротивление открытого канала (мин) 36 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
42 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
160 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
36 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1900 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.842

Техническая документация

IRF1310N Datasheet
pdf, 101 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF1310NPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.