BFP650H6327XTSA1

Ном. номер: 8001779780
PartNumber: BFP650H6327XTSA1
Производитель: Infineon Technologies
BFP650H6327XTSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
13 руб.
452 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 332 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
55 руб. 8 дней, 3345 шт. 15 шт. 15 шт.
от 75 шт. — 38 руб.
от 300 шт. — 22 руб.
120 руб. 3-4 недели, 2290 шт. 1 шт. 1 шт.
от 5 шт. — 92 руб.
от 9 шт. — 72 руб.
от 70 шт. — 56.14 руб.
61 руб. 2-4 недели, 550 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 56 руб.
от 100 шт. — 33 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
RF транзистор

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC82AB

The BFP 650 H6327 is a NPN high linearity wideband Bipolar RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 30mA the device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 42GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 5GHz in amplifier applications. The device is housed in an easy to use plastic package with visible leads.

• Linear low-noise driver amplifier
• Easy to use
• Halogen-free

Технические параметры

Вес, г
0.117

Дополнительная информация

Datasheet BFP650H6327XTSA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.