IRL6372TRPBF

Ном. номер: 8001779833
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRL6372TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRL6372TRPBFФото 3/3 IRL6372TRPBF
27 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 205 шт. — 22.20 руб.
от 861 шт. — 21.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 72 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
33 руб. 5521 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 28 руб.
от 100 шт. — 26 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

SOIC 8/DUAL MOSFET, 30V, 8.1A, 18MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 14 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
8,1 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
30с
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Количество элементов на ИС
2
Длина
5
Типичное время задержки включения
5.9 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
34 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 15 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1020 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V
Прямое напряжение диода
1.2V
Вес, г
0.188

Техническая документация

IRL6372PBF datasheet
pdf, 272 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRL6372TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.