Мой регион: Россия

IRLR2905TRPBF

Ном. номер: 8001780007
PartNumber: IRLR2905TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRLR2905TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRLR2905TRPBFФото 3/3 IRLR2905TRPBF
29 руб.
11268 шт. со склада г.Москва
от 237 шт. — 25.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 138 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
35 руб. 973 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 30 руб.
от 150 шт. — 29 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, вес: 0.54

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
42 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
26 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
48 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1900 pF @ 15 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V

Техническая документация

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.