BC857BE6327HTSA1

Ном. номер: 8001780070
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 BC857BE6327HTSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BC857BE6327HTSA1
0.90 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 5320 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4.50 руб. 3-5 недель, 42000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
от 6000 шт. — 3.80 руб.
от 15000 шт. — 3.50 руб.
8 руб. 8 дней, 2500 шт. 50 шт. 50 шт.
от 600 шт. — 4 руб.
от 1500 шт. — 2.20 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

PNP TRANSISTOR 45V 0.1A SOT23
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 330 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 220

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,65 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,85 В
Длина
2.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.3мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
PNP
Высота
1мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
1 x 2.9 x 1.3мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
220
Вес, г
0.055

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов