BSC060N10NS3GATMA1

Ном. номер: 8001780089
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 BSC060N10NS3GATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BSC060N10NS3GATMA1Фото 3/3 BSC060N10NS3GATMA1
160 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 35 шт. — 130 руб.
от 144 шт. — 123 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
360 руб. 8 дней, 495 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 250 руб.
310 руб. 1 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGTDSON8, АБ

Корпус PGTDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 90 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Package Type
TDSON
Maximum Power Dissipation
125 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
6.1mm
Height
1.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5.35mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Series
OptiMOS 3
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
51 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.2

Дополнительная информация

Datasheet BSC060N10NS3GATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов