BSC100N06LS3GATMA1

Ном. номер: 8001780092
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 BSC100N06LS3GATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BSC100N06LS3GATMA1Фото 3/4 BSC100N06LS3GATMA1Фото 4/4 BSC100N06LS3GATMA1
24 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 190 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
105 руб. 3-4 недели, 5931 шт. 1 шт. 1 шт.
от 30 шт. — 71.20 руб.
от 100 шт. — 66.20 руб.
170 руб. 44 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 110 руб.
от 5 шт. — 64 руб.
от 10 шт. — 51 руб.
120 руб. 8 дней, 665 шт. 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 81 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGTDSON8, АБ

MOSFET, N-CH, 60V, 50A, 8TDSON
Корпус PGTDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12 А, Сопротивление открытого канала (мин) 10 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Package Type
TDSON
Maximum Power Dissipation
50 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
6.1mm
Height
1.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5.35mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Series
OptiMOS 3
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Drain Source Resistance
17.9 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.191

Дополнительная информация

Datasheet BSC100N06LS3GATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов