BSS816NWH6327XTSA1

Ном. номер: 8001780109
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 BSS816NWH6327XTSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BSS816NWH6327XTSA1Фото 3/3 BSS816NWH6327XTSA1
4 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 1500 шт. — 3.20 руб.
от 6000 шт. — 3 руб.
Мин. кол-во для заказа 1238 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
11 руб. 8 дней, 27900 шт. 300 шт. 300 шт.
от 600 шт. — 9 руб.
120 руб. 806 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 65 руб.
от 5 шт. — 28 руб.
от 10 шт. — 17 руб.
13 руб. 3-4 недели, 180 шт. 10 шт. 100 шт.
от 130 шт. — 8.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT323, АБ

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
1,4 A
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
1.25мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
4.9S
Высота
0.8мм
Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
5,3 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
11 ns
Серия
OptiMOS 2
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
0.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Максимальное сопротивление сток-исток
240 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
3
Категория
Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs
0,6 нКл при 2,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
126 пФ при 10 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Прямое напряжение диода
1.1V
Вес, г
0.031

Дополнительная информация

Datasheet BSS816NWH6327XTSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов