BD237

Ном. номер: 8001780110
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/6 BD237
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 BD237Фото 3/6 BD237Фото 4/6 BD237Фото 5/6 BD237Фото 6/6 BD237
12 руб.
2476 шт. со склада г.Москва
от 400 шт. — 11 руб.
от 850 шт. — 10.30 руб.
от 1750 шт. — 9.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 365 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
17 руб. 1311 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 15 руб.
от 150 шт. — 13 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO126

Корпус TO126, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 25 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 2 А, Коэффициент усиления по току, min 40

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
3 MHz
Количество элементов на ИС
1
Длина
7.8мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Тип корпуса
SOT-32
Максимальное рассеяние мощности
25 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
2 A
Тип транзистора
NPN
Высота
10.8мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
Вес, г
0.657

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet BD237
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.