FF450R12KT4HOSA1

Ном. номер: 8001780143
PartNumber: FF450R12KT4HOSA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 FF450R12KT4HOSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FF450R12KT4HOSA1
10 080 руб.
32 шт. со склада г.Москва
от 2 шт. — 9 550 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 080 руб.
Купить в 1 клик
IGBT силовой модуль

кол-во в упаковке: 10

'Силовой IGBT модуль, 62 мм, полумост, технология IGBT4.
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1200 В
Номинальный ток при 25°C: 450 А
Напряжение насыщения К-Э при 25°C: 1.75 В
Технология: IGBT4
Конфигурация: полумост
Корпус: 62 мм'
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 580 А

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
Channel Type
N
Configuration
Dual
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
1200
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)
1.75
Maximum Power Dissipation (mW)
2400000
Maximum Gate Emitter Voltage (V)
±20
Maximum Continuous Collector Current (A)
580
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)
0.4
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tray
Automotive
Yes
Pin Count
7
Supplier Package
62MM-1
Military
No
Mounting
Screw
Package Height
29
Package Length
106.4
Package Width
61.4
PCB changed
7
Вес, г
365

Дополнительная информация

Datasheet FF450R12KT4HOSA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.