FP25R12KE3BOSA1

Ном. номер: 8001780148
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 FP25R12KE3BOSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 FP25R12KE3BOSA1Фото 3/3 FP25R12KE3BOSA1
5 490 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 490 руб.
Купить в 1 клик
Модули IGBT

кол-во в упаковке: 10, АБ

IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A
Кол-во ключей в модуле 7, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 40 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
107.5мм
Transistor Configuration
Трехфазные
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
40 A
Тип корпуса
EconoPIM2
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
45мм
Высота
17мм
Число контактов
24
Размеры
107.5 x 45 x 17мм
Конфигурация
3-фазный мост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Вес, г
209.9

Дополнительная информация

Datasheet FP25R12KE3BOSA1