IPA126N10N3GXKSA1

Ном. номер: 8001780190
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPA126N10N3GXKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPA126N10N3GXKSA1
34 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 131 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
340 руб. 3-4 недели, 100 шт. 1 шт. 1 шт.
от 3 шт. — 260 руб.
от 6 шт. — 177 руб.
от 28 шт. — 156.43 руб.
150 руб. 8 дней, 10 шт. 10 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FULLPAK3, АБ

N-CH 100V 35A 12.6mOhm TO220FP
Корпус TO220FULLPAK3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 35 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12.6 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.65mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Package Type
TO-220FP
Maximum Power Dissipation
33 W
Series
OptiMOS 3
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.85mm
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Height
16.15mm
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage
1.2V
Вес, г
2.988

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов