IPA60R190P6XKSA1

Ном. номер: 8001780196
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPA60R190P6XKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPA60R190P6XKSA1
94 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 48 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
280 руб. 8 дней, 832 шт. 4 шт. 4 шт.
от 40 шт. — 210 руб.
340 руб. 2-4 недели, 38 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 250 руб.
330 руб. 3-4 недели, 207 шт. 1 шт. 3 шт.
от 4 шт. — 290 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP, АБ

N-Ch 600V 20.2A 34W 0.19R TO220-Fullpak
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 190 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Тип корпуса
TO-220FP
Максимальное рассеяние мощности
34 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.9мм
Высота
16.15мм
Размеры
10.65 x 4.9 x 16.15мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.65мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
CoolMOS P6
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
37 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1750 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
0.9V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.65mm
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Тип корпуса
TO-220FP
Максимальное рассеяние мощности
34 Вт
Серия
CoolMOS P6
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.9mm
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Height
16.15mm
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
37 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Forward Diode Voltage
0.9V
Вес, г
3.051

Дополнительная информация

Datasheet IPA60R190P6XKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов