IPA60R950C6XKSA1

Ном. номер: 8001780201
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IPA60R950C6XKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IPA60R950C6XKSA1Фото 3/4 IPA60R950C6XKSA1Фото 4/4 IPA60R950C6XKSA1
26 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 176 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
82 руб. 306 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 75 руб.
от 150 шт. — 72 руб.
68 руб. 3-4 недели, 1600 шт. 1 шт. 122 шт.
от 1573 шт. — 58.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP, АБ

N-Ch 600V 4.4A 26W 0.95R TO220-Fullpak
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 950 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.65mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
4.4 A
Package Type
TO-220FP
Maximum Power Dissipation
26 W
Series
CoolMOS C6
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.9mm
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Height
16.15mm
Maximum Drain Source Resistance
950 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Forward Diode Voltage
0.9V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
4,4 A
Тип корпуса
TO-220FP
Максимальное рассеяние мощности
26 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Width
4.9mm
Высота
16.15mm
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Length
10.65mm
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Infineon
Серия
CoolMOS C6
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Maximum Drain Source Resistance
950 мΩ
Maximum Drain Source Voltage
600 В
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
13 нКл при 10 В
Channel Mode
Поднятие
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Прямое напряжение диода
0.9V
Вес, г
2.94

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet IPA60R950C6XKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов