IPB020NE7N3GATMA1

Ном. номер: 8001780203
Производитель: Infineon Technologies
IPB020NE7N3GATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
270 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 21 шт. — 221 руб.
от 85 шт. — 210 руб.
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
727 руб. 3-5 недель, 1000 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 616 руб.
450 руб. 4 дня, 48 шт. 1 шт. 2 шт.
от 4 шт. — 290 руб.
от 7 шт. — 272 руб.
от 13 шт. — 254 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
120 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.45мм
Высота
4.57мм
Размеры
10.31 x 9.45 x 4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
19 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
70 нс
Серия
OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.3V
Максимальное сопротивление сток-исток
2 MΩ
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
155 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
10800 пФ при 37,5 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
1.25

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов