IPB026N06NATMA1

Ном. номер: 8001780205
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IPB026N06NATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IPB026N06NATMA1Фото 3/3 IPB026N06NATMA1
71 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 63 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
230 руб. 8 дней, 1925 шт. 5 шт. 5 шт.
от 15 шт. — 210 руб.
от 50 шт. — 185 руб.
от 100 шт. — 154.70 руб.
250 руб. 2-4 недели, 1028 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 182 руб.
от 100 шт. — 141 руб.
220 руб. 3-4 недели, 105 шт. 1 шт. 5 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.6 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
136 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
11.05мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
160S
Высота
4.57мм
Размеры
10.31 x 11.05 x 4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
17 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
30 нс
Серия
OptiMOS 5
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
3.9 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
56 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4100 пФ при 30 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V
Вес, г
2.1

Дополнительная информация

Datasheet IPB026N06NATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов