IPB027N10N3GATMA1

Ном. номер: 8001780206
PartNumber: IPB027N10N3GATMA1
Производитель: Infineon Technologies
IPB027N10N3GATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
250 руб.
26 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
643 руб. 3-4 недели, 648 шт. 1 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 516 руб.
770 руб. 3-4 недели, 351 шт. 1 шт. 1 шт.
от 6 шт. — 670 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-CH 100V 120A 3mOhm TO263-3
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.7 мОм

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263

Технические параметры

Вес, г
1.6

Дополнительная информация

Datasheet IPB027N10N3GATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.