IPB042N10N3GATMA1

Ном. номер: 8001780207
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IPB042N10N3GATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IPB042N10N3GATMA1Фото 3/3 IPB042N10N3GATMA1
95 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 53 шт. — 86 руб.
от 109 шт. — 82.40 руб.
от 229 шт. — 78.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 48 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
220 руб. 29 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 180 руб.
от 10 шт. — 144 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.2 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
214 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.45мм
Высота
4.57мм
Размеры
10.31 x 9.45 x 4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
27 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
48 нс
Серия
OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
7,4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
88 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
6320 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.1

Дополнительная информация

Datasheet IPB042N10N3GATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов