IPB054N06N3GATMA1

Ном. номер: 8001780208
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IPB054N06N3GATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IPB054N06N3GATMA1Фото 3/3 IPB054N06N3GATMA1
36 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 124 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
160 руб. 3-5 недель, 1000 шт. 1 шт. 1 шт.
200 руб. 2-4 недели, 920 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 146 руб.
от 100 шт. — 110 руб.
130 руб. 8 дней, 160 шт. 10 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 120 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5.4 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
115 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
11.05mm
Forward Transconductance
94s
Height
4.57mm
Dimensions
10.31 x 11.05 x 4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.31mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
24 ns
Brand
Infineon
Typical Turn-Off Delay Time
32 ns
Series
OptiMOS 3
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Drain Source Resistance
5.7 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pin Count
3
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
5000 pF @ 30 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage
1.2V
Вес, г
1.926

Дополнительная информация

Datasheet IPB054N06N3GATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов