IPB067N08N3GATMA1

Ном. номер: 8001780209
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPB067N08N3GATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPB067N08N3GATMA1
96 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 52 шт. — 87 руб.
от 108 шт. — 83.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 47 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
210 руб. 8 дней, 470 шт. 10 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

N-CH 80V 80A 7mOhm TO263-3
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 80 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6.7 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
136 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
9.45мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
91с
Высота
4.57мм
Размеры
10.31 x 9.45 x 4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
16 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
31 ns
Серия
OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
12,3 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
42 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2890 пФ при 40 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V
Вес, г
2.188

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов