IPB123N10N3GATMA1

Ном. номер: 8001780212
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPB123N10N3GATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPB123N10N3GATMA1
85 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 63 шт. — 70.70 руб.
от 264 шт. — 67.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 55 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
230 руб. 56 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 160 руб.
от 5 шт. — 126 руб.
от 10 шт. — 111 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

N-CH 100V 58A 12mOhm TO263-3
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 58 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12.3 мОм

Технические параметры

Вес, г
1.906

Дополнительная информация

Datasheet IPB123N10N3GATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов