IPB60R099C7ATMA1

Ном. номер: 8001780215
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IPB60R099C7ATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IPB60R099C7ATMA1Фото 3/3 IPB60R099C7ATMA1
320 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 18 шт. — 260 руб.
от 74 шт. — 247 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
740 руб. 2-4 недели, 793 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 448 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

Новые, лучшие в своем классе

Транзисторы CoolMOS™ C7 600 В имеют лучшие в своем классе значения RDS(on) в корпусах TO-220/TO-262/TO-263 - на 36% ниже, чем у конкурентов.
Меньший корпус обеспечивает снижение объема до 50% по сравнению с TO-247, открывая пути к повышению удельной мощности. Также транзисторами в корпусе TO-247 достигнут новый рекорд в виде сопротивления канала, равного 17 мОм.

Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 22 А, Сопротивление открытого канала (мин) 85 мОм

Технические параметры

Вес, г
2.09

Дополнительная информация

Datasheet IPB60R099C7ATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.